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Messung einer inhomogenen Verteilung von Rekombinationszentren im Germanium mit Hilfe der Photoleitung und des Photo‐Magneto‐Elektrischen Effektes
Author(s) -
Thiessen K.,
Hornung H.
Publication year - 1962
Publication title -
physica status solidi (b)
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.51
H-Index - 109
eISSN - 1521-3951
pISSN - 0370-1972
DOI - 10.1002/pssb.19620020905
Subject(s) - chemistry , physics , microbiology and biotechnology , biology
Abstract Es wird eine Methode zur Bestimmung einer inhomogenen Verteilung von Rekombinationszentren in Halbleitern vorgeschlagen und am Beispiel des Germaniums experimentell angewendet. Die Methode beruht auf einem Vergleich des Leitfähigkeitsverlaufs mit dem Verlauf der Photoleitung oder des photo‐magneto‐elektrischen Effektes bei Abtasten des Kristalls mit einer schmalen Lichtsonde. Es wird gezeigt, daß die Rekombinationszentren in anderer Weise ungleichmäßig im Kristall eingebaut werden als die normalen Dotierungselemente.