Über das Wachstum und die Polytypieerscheinungen von synthetischen Zinksulfid‐Kristallen

Abstract Kristallmorphologische Untersuchungen an synthetischen ZnS‐Einkristallen ergaben, daß in Abhängigkeit vom verwendeten Trägergas deutliche Tracht‐ oder Habitusänderungen auftraten. Die einzelnen Wachstumstemperaturen für die unterschiedlich ausgebildeten Kristalle wurden für eine Sublimationstemperatur von 1300 °C beschrieben. Hinsichtlich der Ätzgruben und der Wachstumsbildungen war polares Verhalten auf den Basisflächen der Prismen zu erkennen. Die Züchtungsbedingungen, unter denen das Wachstum strukturreiner Blende‐ und Wurtzitkristalle beobachtet wurde, werden beschrieben. Eine an ZnS‐Prismen im Wachstumsgebiet zwischen 1200° und 1300 °C beobachtete Abhängigkeit des Fehlordnungsgrades von den Wachstumstemperaturen wird angegeben. Weiterhin werden die an den morphologisch unterschiedlich ausgebildeten Kristallen auftretenden Polytypieerscheinungen dargestellt, und es wird mit Hilfe von Röntgenaufnahmen die Möglichkeit der Beeinflussung der eindimensionalen Lagenfehlordnung durch eine entsprechende Nachbehandlung aufgezeigt.