Reptation‐ und Bascule‐Effekt in FeAl‐Einkristallen

Reptation‐Untersuchungen sind bisher ausschließlich an polykristallinen Proben, insbesondere an Stahlproben durchgeführt worden. In jedem Falle war ein ausgeprägter Reptation‐Effekt zu messen, dem ein schwacher, sogenannter „Bascule”‐Effekt überlagert war. Wir haben nun entsprechende Untersuchungen an einkristallinem Material durchgeführt und festgestellt, daß an einem FeAl‐Rahmenkristall (5% Al, [111] (110)) kein meßbarer Reptation‐, dagegen aber ein deutlicher Bascule‐Effekt zu finden war. Nach Anbringen von künstlichen Störungen trat ein starker Reptation‐Effekt auf; der Einfluß des Bascule‐Effektes war nur noch gering. Messungen der Magnetisierungsänderung des gestörten Kristalls in Abhängigkeit von der Zahl n der Schaltungen ergaben ein logarithmisches Gesetz für große Werte von n . Nach unseren Messungen sind also für das Auftreten eines ausgeprägten Reptation‐Effektes bei Einkristallen Störungen im Kristall erforderlich.