Vermessung einzelner Nanoinseln. Bestimmung von Halbleiterstrukturen mit Röntgenbeugung

Röntgenbeugung ist eine gängige Methode in der Materialphysik, um Verzerrungen atomarer Gitter zu bestimmen. Bei inhomogenen Materialien, zum Beispiel Halbleiterbauelementen mit Kontakten, Kanälen etc., ist jedoch eine Analyse oft unmöglich. Der zu wenig fokussierte Strahl erfasst alle unterschiedlichen Strukturen der Probe zugleich. Der Detektor kann also ihre verschiedenen Streusignale nicht mehr trennen. Die hier vorgestellte Methode löst das Problem mit einem “scharfen” Röntgenstrahl, der auf wenige Mikrometer fokussiert ist. Am Beispiel von einzelnen, 3 μm großen Halbleiterinseln wird die Analysemethode erläutert. Sie ermöglicht zudem eine Kombination der Röntgenbeugung mit anderen mikroskopischen Verfahren an derselben Nanostruktur. Damit lassen sich Halbleiter‐Nanostrukturen in Zukunft detailliert analysieren.