Elektronenholographie in der Halbleitertechnik Halbleiter offenbaren ihr Inneres

Die innere Struktur moderner Metall‐Oxid‐Silizium‐Feldeffekt‐Transistoren (MOSFET) beruht im wesentlichen auf im Submikrometerbereich eingebrachten elektrischen Feldern. Diese werden durch gezielte lokale Dotierung oberflächennaher Bereiche im Siliziumsubstrat erzeugt. Die Entwicklung von methoden zur direkten Abbildung solcher Strukturen steht seit Jahren ganz oben auf der Dringlichkeitsliste der Halbleiterhersteller. Forschern des Instituts für Halbleiterphysik (IHP) in Frankfurt/Oder gelang es kürzlich in Zusammenarbeit mit Kollegen der Bell Laboratories, USA, mit Hilfe von Elektronenholographie erstmals, die elektrischen Kräfte innerhalb von MOSFET‐Bauelementen lokal zu vermessen [1].