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Nanometer‐Schichten in Silizium
Author(s) -
Becker JöRg D.,
Zeindl Hans P.,
Eisele Ignaz
Publication year - 1990
Publication title -
physik in unserer zeit
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3943
pISSN - 0031-9252
DOI - 10.1002/piuz.19900210602
Subject(s) - nanometre , materials science , composite material
Die Molekularstrahlepitaxie erlaubt die Herstellung einkristalliner, hochdotierter Schichtfolgen im Nanometerbereich in Silizium. Dies ist der erste Schritt zur dreidimensionalen Hochintegration.