Experimental extraction of light confinement parameters for textured silicon wafers

A procedure for extracting the internal reflectivities and the mean tilt angle of light rays inside silicon wafers from reflectance measurements is presented. the procedure, based on a simple model of light confinement, is applied to silicon wafers textured with random pyramids. the results obtained are shown to be in good agreement with ray‐tracing calculations and theoretical estimates. Se presenta un método para extraer, a partir de medidas de reflectancia, los valores de las reflectividades internas y del ángulo medio de inclinación de los rayos de luz en el interior de células solares. Este método está basado en un modelo sencillo del confinamiento interno de la luz y se aplica aqui a obleas de silicio con textura piramidal aleatoria. Los resultados obtenidos están de acuerdo con los calculados mediante trazado de rayos y con las estimaciones teóricas.