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Nano‐Engineering für nichtflüchtige ferroelektrische Speicher
Author(s) -
Alexe Marin,
Harnagea Catalin,
Hesse Dietrich
Publication year - 2000
Publication title -
physikalische blätter
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3722
pISSN - 0031-9279
DOI - 10.1002/phbl.20000561010
Subject(s) - humanities , engineering , philosophy
Fast jeder Computer ist heute mit einem dynamic RAM ausgerüstet, einem Speicherbaustein, der die gespeicherten Daten alle paar Millisekunden elektronisch wiederauffrischen muss. Dieses Konzept ist nicht optimal, aber die Bausteine sind billig. Die Zukunft jedoch gehört den nichtflüchtigen Speichern. Neue Verfahren der Mikrostrukturphysik machen es jetzt möglich, dünne ferroelektrische Schichten und Nanostrukturen in die Silizium‐Technologie zu integrieren und fehlerfrei auszulesen.