Tieftemperatur‐Rastertunnelspektroskopie an InAs(110): Streuung von Elektronenwellen an Dotieratomen und Spektroskopie an Landau‐Niveaus

Das Rastertunnelmikroskop (RTM) kann nicht nur zur Vermessung der Oberflächentopographie bis hinab zur atomaren Skala eingesetzt werden, sondern es ermöglicht im Spektroskopiemodus auch, die räumliche Verteilung von elektronischen Zustandsdichten zu bestimmen. Tiefe Temperaturen ( T < 10 K) erlauben Energieauflösungen im meV‐Bereich. Dadurch läßt sich eine Zustandsquantisierung, wie sie zum Beispiel in nulldimensionalen Quantentöpfen oder als Landau‐Quantisierung im Magnetfeld auftritt, sichtbar machen. Am Institut für Angewandte Physik der Universität Hamburg existiert seit kurzem eine Anlage, die erstmalig Rastertunnelmikroskopie, tiefe Temperaturen (8 K), Magnetfeld (0–6,5 T) und Ultrahochvakuum kombiniert [1]. Mit dieser Anlage wurde an der Halbleiter‐Oberfläche InAs(110) die Streuung von energieselektierten Elektronen an einzelnen Dotieratomen studiert und die Landau‐Niveauaufspaltung im Magnetfeld spektroskopiert.