Si 1‐ y C y ‐Legierungsschichten — ein neuartiges Halbleitermaterial

Die optischen und elektronischen Eigenschaften von Heteroschichtsystemen aus Verbindungshalbleitern der III. und V. Hauptgruppe lassen sich mit geeigneten Epitaxieverfahren gezielt einstellen. Diese Möglichkeit wird in neuartigen Transistoren, Detektoren und Laserdioden ausgenutzt. Den in der Mikroelektronik bedeutendsten Halbleiter Silizium, als Gruppe‐IV‐Element, konnte man bisher nur durch Zugabe von Germanium erfolgreich modifizieren und dadurch sehr schnelle Transistoren mit Si 1‐ x Ge x ‐Legierungsschichten realisieren. Die Möglichkeiten erweitern sich wesentlich, wenn man Kohlenstoff beimischt. Die reduzierte intrinsische Gitterkonstante und die starke Absenkung der Leitungsbandkante in Si 1‐ y C y ‐Legierungen sind Eigenschaften, die zum Si 1‐ x Ge x ‐Materialsystem gewissermaßen komplementär sind. Sie stellen vielfältige elektronische und optoelektronische Anwendungen für Si 1‐ y C y ‐ und für ternäre Si 1‐ x ‐ y Ge x C y ‐Legierungen auf herkömmlichen Si‐Substraten in Aussicht.