Silicid‐Mikrostrukturen durch lokale Oxidation

Ein neues, einfaches Verfahren ermöglicht, Silicidschichten auf Silicium durch lokale Oxidation zu strukturieren. Die technisch bedeutenden Silicide, CoSi 2 , TiSi 2 und PtSi, bilden während der thermischen Oxidation Siliciumdioxid auf ihrer Oberfläche. Das Silicid bleibt dabei Chemisch und strukturell erhalten. Wird die Oxidation durch eine Oxidationsmaske lokal begrenzt, dann verlagert sich das Silicid in den freiliegenden Bereichen tiefer in das Siliciumsubstrat. Nach einer kritischen Oxidationszeit trennen sich die oxidierten von den nicht oxidierten Bereichen der Silicidschicht. Die Schicht wird dadurch entsprechend der Oxidationsmaske strukturiert. Auf diese Weise lassen sich vergrabene Leiterbahnen und metallisierte Silicium‐Mesa‐Strukturen, Bausteine für mikro‐ und optoelektronische Anwendungen, einfach realisieren.