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Erst einbetten, dann ordnen — von der Epitaxie zur Allotaxie dünner Schichten
Author(s) -
Mantl S.
Publication year - 1993
Publication title -
physikalische blätter
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3722
pISSN - 0031-9279
DOI - 10.1002/phbl.19930490412
Subject(s) - chemistry
Allotaxie bezeichnet ein neues Verfahren zur Herstellung epitaktischer Schichtsysteme. Eine vergrabene Schicht entsteht dadurch, daß das Material dieser Schicht erst in Form von Ausscheidungen in eine einkristalline Matrix eingebettet und durch anschließendes Tempern eine planare Schicht gebildet wird. Diese thermisch aktivierte Schichtbildung setzt ein dachförmiges Konzentrationstiefenprofil der ausgeschiedenen Phase voraus. Erste epitaktische, metallische und halbleitende Silizidschichten, CoSi 2 und FeSi 2 in Silizium, werden vorgestellt. Derartige Schichtsysteme eröffnen neue Möglichkeiten für den dreidimensionalen Aufbau elektronischer und optoelektronischer Bauelemente.