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Rekordbeweglichkeiten im zweidimensionalen Elektronengas von Si/SiGe‐Heterostrukturen
Author(s) -
Schäffler F.
Publication year - 1992
Publication title -
physikalische blätter
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3722
pISSN - 0031-9279
DOI - 10.1002/phbl.19920480518
Subject(s) - physics , materials science
Durch Verbesserungen der Schicht‐ und Wachstumsparameter ist es gelungen, modulationsdotierte Si/SiGe‐Heterostrukturen mit Tieftemperatur‐Elektronenbeweglichkeiten von über 170 000 cm 2 /Vs herzustellen. Dies ist der bislang höchste Wert für die Beweglichkeit von zweidimensionalen Elektronengasen in Siliziumkanälen und bedeutet eine Steigerung um mehr als einen Faktor vier gegenüber den besten, an MOSFETs gemessenen Werten.