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SXM — Rastermikroskopien für x ‐beliebige Oberflächeneigenschaften
Author(s) -
Pohl D. W.
Publication year - 1991
Publication title -
physikalische blätter
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3722
pISSN - 0031-9279
DOI - 10.1002/phbl.19910470606
Subject(s) - physics , humanities , philosophy
Das Prinzip der Rastertunnelmikroskopie (STM‐Prinzip) kann auf die verschiedenartigsten Wechselwirkungen zwischen zwei Körpern übertragen werden. Daraus resultiert eine beachtliche Anzahl von Mikroskopien („SXM”), die dem STM analog sind, aber statt auf den Tunnelstrom auf andere Parameter reagieren. Nach dem Grad der nötigen Annäherung kann man die verschiedenen Effekte in die Bereiche Kontakt, Elektronenaustausch, Van‐der‐Waals und extern aufgeprägte Wechselwirkungen einordnen; nach ihrer physikalischen Natur bietet sich die Einteilung in Feld‐ und Transportphänomene an.