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Der Si/SiGe‐Heterobipolar‐transistor: Ein Bauelement für schnelle integrierte Schaltungen
Author(s) -
Schreiber H. U.
Publication year - 1991
Publication title -
physikalische blätter
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3722
pISSN - 0031-9279
DOI - 10.1002/phbl.19910470208
Subject(s) - physics
Für zukünftige Anwendungen in der optischen Breitband‐Kommunikation, in der Computertechnik und in anderen Bereichen sind sehr schnelle integrierte Schaltungen mit ständig wachsenden Schaltgeschwindigkeiten erforderlich. Hierfür eignen sich spezielle Bipolartransistoren, die neben guten Hochfrequenzeigenschaften eine hohe Steilheit mit hervorragender Treiberfähigkeit aufweisen.