Präzisionsbestimmung der Feinstrukturkonstanten aus Magnetotransportmessungen an Halbleiter‐Randschichten

Es wird über eine neue, sehr genaue Meßmethode zur Bestimmung der Sommerfeldschen Feinstrukturkonstanten mit einer Unsicherheit von etwa 10 −6 berichtet. Grundlage dafür ist die vollständige Quantisierung eines zweidimensionalen Elektronengases in einem Feldeffekttransistor durch ein starkes Magnetfeld. Die Methode eignet sich auch zur Darstellung der Widerstandseinheit des Internationalen Maßsystems.