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Der persistente Photostrom und die Defekte in TlBr
Author(s) -
Kažukauskas V.,
Ziminskij A.,
Bozhko V.,
Muronchuk G.
Publication year - 2011
Publication title -
materialwissenschaft und werkstofftechnik
Language(s) - English
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.285
H-Index - 38
eISSN - 1521-4052
pISSN - 0933-5137
DOI - 10.1002/mawe.201100752
Subject(s) - photoconductivity , photocurrent , chemistry , quenching (fluorescence) , trapping , atomic physics , analytical chemistry (journal) , materials science , optoelectronics , physics , optics , fluorescence , ecology , chromatography , biology
We had observed the persistent photoconductivity in TlBr. The long lasting current relaxations took place after the band‐to‐band light excitation at the temperatures below about 200 K. It was demonstrated by the thermally stimulated current method that this phenomenon is related to the trapping states with the thermal activation energy of 0.08–0.12 eV. Moreover, upon filling of the traps the enhanced photoconductivity was induced that could be thermally quenched above about 180 K. The quenching of the photoconductivity is initiated by the emptying of the trapping states with the activation energy of 0.63–0.65 eV. Es wurde eine persistente Photoleitfähigkeit in TlBr beobachtet. Die langzeitigen Strom‐Relaxationen fanden auch nach der Band‐zu‐Band Lichtanregung bei Temperaturen unter 200 K statt. Bei der Anwendung der Methode des thermisch stimulierten Stroms wurde gezeigt, dass dieser Effekt durch Zustände mit thermischen Aktivierungsenergien von 0.08–0.12 eV verursacht werdenkönnte. Darüber hinaus führte eine Füllung dieser Zustände zu der erhöhten Photoleitfähigkeit. Dieser Zustand konnte bei Temperaturen über 180 K thermisch gelöscht werden. Die Löschung der Photoleitfähigkeit erfolgte bei der Entleerung der Zustände mit Aktivierungsenergien von 0.63–0.65 eV.