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Spurenelemente in Halbleitern – eine analytische Herausforderung für die ETV ICP OES

Author(s) -

Bertram R.

Publication year - 2006

Publication title -

materialwissenschaft und werkstofftechnik

Language(s) - German

Resource type - Journals

SCImago Journal Rank - 0.285

H-Index - 38

eISSN - 1521-4052

pISSN - 0933-5137

DOI - 10.1002/mawe.200600042

Subject(s) - inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy , analytical chemistry (journal) , chemistry , die (integrated circuit) , silicon carbide , materials science , metallurgy , inductively coupled plasma , nuclear chemistry , chromatography , nanotechnology , physics , plasma , quantum mechanics

Ziel der Untersuchungen war die Analyse von Spurenelementen in Halbleitermaterialien (Indiumphosphid, Siliciumcarbid, Aluminiumnitrid, Galliumarsenid). Durch Anwendung der ETV ICP OES als Methode der direkten Feststoffanalyse wird eine Verbesserung der Bestimmungsgrenzen im Vergleich zur klassischen Lösungsanalyse nach chemischen Aufschluss mit der ICP OES erreicht. Die Kalibrierung erfolgte mit eingetrockneten Standardlösungen bzw. mit Analytaddition. Die erhaltenen Ergebnisse zeigen die prinzipielle Eignung der ETV ICP OES zur Spurenelementbestimmung in Halbleitermaterialien.

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