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Spurenelemente in Halbleitern – eine analytische Herausforderung für die ETV ICP OES
Author(s) -
Bertram R.
Publication year - 2006
Publication title -
materialwissenschaft und werkstofftechnik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.285
H-Index - 38
eISSN - 1521-4052
pISSN - 0933-5137
DOI - 10.1002/mawe.200600042
Subject(s) - inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy , analytical chemistry (journal) , chemistry , die (integrated circuit) , silicon carbide , materials science , metallurgy , inductively coupled plasma , nuclear chemistry , chromatography , nanotechnology , physics , plasma , quantum mechanics
Ziel der Untersuchungen war die Analyse von Spurenelementen in Halbleitermaterialien (Indiumphosphid, Siliciumcarbid, Aluminiumnitrid, Galliumarsenid). Durch Anwendung der ETV ICP OES als Methode der direkten Feststoffanalyse wird eine Verbesserung der Bestimmungsgrenzen im Vergleich zur klassischen Lösungsanalyse nach chemischen Aufschluss mit der ICP OES erreicht. Die Kalibrierung erfolgte mit eingetrockneten Standardlösungen bzw. mit Analytaddition. Die erhaltenen Ergebnisse zeigen die prinzipielle Eignung der ETV ICP OES zur Spurenelementbestimmung in Halbleitermaterialien.