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Elektromigration – Ein Schadensmechanismus in mikroelektronischen Schaltungen
Author(s) -
Roth Walter,
Eden Klaus
Publication year - 1993
Publication title -
materials and corrosion
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.487
H-Index - 55
eISSN - 1521-4176
pISSN - 0947-5117
DOI - 10.1002/maco.19930440405
Subject(s) - physics , philosophy , gynecology , humanities , medicine
Die Elektromigration ist ein Materialtransport‐Phänomen, das von hohen elektrischen Stromdichten (10 5 bis 10 6 A/cm 2 ) verursacht wird. Wenn der Transporteffekt hinreichend groß ist, kann er zu Kurzschlüssen und Leitungsunterbrechungen führen. Elektromigration ist ein ernsthaftes Problem für Smart‐Power IC's, bei denen die für die gesamte Schaltung benötigte Fläche von der für Ströme in der Größenordnung von 1 bis über 10 A benötigten Zuleitungsfläche abhängig wird. Die Stärke der Elektromigration nimmt exponentiell mit der Temperatur und etwa quadratisch mit der Stromdichte zu. Außerdem ist sie sehr empfindlich gegen geringfügige Variationen im Metallisierungsprozeß. Dies erfordert eine sorgfältige und kontinuierliche Qualitätsüberwachung der Metallisierungsprozesse.