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Inhibitoren der Korrosion 31 (1). Beitrag zur Inhibierung der Korrosion von Zink und Messing
Author(s) -
Horner L.,
Pliefke E.
Publication year - 1986
Publication title -
materials and corrosion
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.487
H-Index - 55
eISSN - 1521-4176
pISSN - 0947-5117
DOI - 10.1002/maco.19860370806
Subject(s) - chemistry , nuclear chemistry
Folgende als Inhibitoren der Korrosion vom Kupfer bewährte Verbindungen wurden bei Korrosionsstudien mit Zink und Messing eingesetzt: 2‐Aminopyrimidin (A), 5‐Aminotetrazolmonohydrat (B), Benzotriazol (C), Kupferron (D), 2‐Mercaptopyrimidin (E), 2‐Mercaptothiazolin (F), 2‐Methyl‐4‐amino‐5‐cyanopyrimidin (G), Tetrazin‐B (H) und Xanthanwasserstoff (I). Bei Zinkblechen wird unter Standardbedingungen in Gegenwart der Verbindungen A, B, C, E und G im Laufe von 15 Tagen Totalkorrosion beobachtet. In Anwesenheit der Verbindungen D, F und H werden prozentuale Schutzwerte von 29%, 14% und 39% beobachtet. Ein differenzierteres Bild vermitteln die pH‐statisch ermittelten Säureverbrauchs‐Zeit‐Kurven mit Zinkstaub. Nur die Verbindung C verlangsamt die Korrosion. Die übrigen Verbindungen fördern die Korrosion. In Korrosionsstudien mit mechanischen Kupferpulver‐Zinkpulver‐Gemischen inhibieren die Verbindungen B–I die Korrosion des Kupfers. Die in Gegenwart der Verbindung A beobachtete Beschleunigung wird genauer untersucht. Die Korrosion von Messing (Blech, Korn, Pulver) verläuft unter primärer Entzinkung. Die Verbindungen A, E, F und H sind gute Inhibitoren der Korrosion von Messing, für Messing 64/36 besser als für Messing 90/10. Mit Hilfe von Röntgenfluoreszenzmessungen wird die Zusammensetzung der Korrosionsschutzschicht ermittelt. Ihr Cu‐Gehalt liegt über 90% bei den Inhibitoren A, B, E, F und G, bei den Inhibitoren C und H, die auch die Korrosion von Zink verlangsamen, bei 80%. Die Zusammensetzung der der Korrosion gebildeten Niederschläge und in Lösung gegangenen Metallanteile bestätigt die Vorstellung, daß die Entzinkung der Oberfläche dem Aufbau einer kupferreichen Kupfer‐Inhibitor‐Deckschicht vorausgeht.

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