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Growth and Characterization of CdAl 2 S 4 and CdAl 2 Se 4 Single Crystals
Author(s) -
Krauss G.,
Krämer V.,
Eifler A.,
Riede V.,
Wenger S.
Publication year - 1997
Publication title -
crystal research and technology
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0232-1300
DOI - 10.1002/crat.2170320202
Subject(s) - crystallography , chemistry , physics , analytical chemistry (journal) , chromatography
Transparente CdAl 2 S 4 ‐ und CdAl 2 Se 4 ‐Einkristalle wurden durch chemischen Transport über die Gasphase in Größn bis zu 15 × 4 × 1 mm 3 (CdAl 2 S 4 ) bzw. 10 mm Kantenlänge (CdAl 2 Se 4 ) gezüchtet. Die Stöchiometrie der Kristalle wurde mittels Elektronenstrahl‐Mikrosonde überprüft. Strukturelle Untersuchungen nach der Rietveld‐Methode lieferten eine gute Übereinstimmung der gefundenen mit bekannten Strukturdaten. Aus Transmissions‐ und Reflektionsmessungen wurde der Bandabstand unter Annahme einea direkten Halbleiters bestimmt zu: E g =3.82eV (RT), E g = 3.94 eV (85 K) für CdAl 2 S 4 und E g = 2.95 eV (RT), E g = 3.07 eV (85 K) fü CdAl 2 Se 4 .