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Axial temperature distribution in Silicon‐Germanium grown by the RF‐heated float zone technique
Author(s) -
Schulz D.,
Wollweber J.,
Darowski N.,
Schröder W.
Publication year - 1997
Publication title -
crystal research and technology
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0232-1300
DOI - 10.1002/crat.2170320106
Subject(s) - germanium , chemistry , float (project management) , silicon , analytical chemistry (journal) , materials science , chromatography , engineering , organic chemistry , marine engineering
Im Konzentrationsbereich von 0 bis 25 at% Germanium wurde das Segregationsverhalten von Sili‐zium‐Germanium‐Einkristallen gezüchtet mit Hilfe des HF‐beheizten tiegelfreien Zonenschmelzver‐fahrens untersucht. Vollstündig versetzungsfreie Kristalle mit bis zu 8 at% Germanium wurden gezüchtet. Störungen des einkristalline Wachstum waren im wesentlichen auf konstitutionelle Unterkühlung zurückzuführen. Mittels pyrometrischer Temperaturmessung wurde der Anstieg der axialen Temperaturverteilung Δ T /Δ Z in der Nähe der Wachstumsphasengrenze bestimmt und daraus die kritische Ziehgeschwindigkeit abgeleitet. Die Messungen zeigten, daß mit zunehmenden Germaniumgehalt der Temperaturgradient im Kristall größer wird.