Growth of GaAs Crystals by VGF at Different As Source Temperatures

The influence of the As source temperature on the properties of undoped 〈100〉 orientated GaAs crystals during VGF crystal growth was investigated in the range of T As = 600 to 631 °C. The crystal morphology has shown significant differences. A monocrystalline growth is observed in the range of T As = 607 to 620 °C. The EPD values are in the range of 10 3 cm −2 irrespective of the preset temperature of the As source. A decrease in the As source temperature from 620 °C to 607 °C will result in a reduced concentration of the intrinsic defect EL2 from 0.8. 10 16 cm −3 to 0.6. 10 16 cm −3 . Der Einfluß der As Quellentemperatur auf die Eigenschaften von undotierten, <100>‐orientierten GaAs Kristallen bei der VGF Züchtung wurde im Bereich von T As = 600–631 °C untersucht. Die Kristallmorphologie wies dabei deutliche Unterschiede auf. Bei T As von 607–620 °C wird einkristallines Wachstum beobachtet. Die EPD Werte liegen dabei im Bereich von 10 3 cm −2 unabhängig von der eingestellten Temperatur der As‐Quelle. Mit Verringerung der As Quellentemperatur von 620 °C auf 607 °C tritt eine Reduzierung der Konzentration des Eigendefektes EL2 von 0,8. 10 16 cm −3 auf 0,6. 10 16 cm −3 ein.