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Growth of GaAs Crystals by VGF at Different As Source Temperatures
Author(s) -
Frank C.,
Hein K.,
Hannig C.,
Gärtner G.
Publication year - 1996
Publication title -
crystal research and technology
Language(s) - English
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0232-1300
DOI - 10.1002/crat.2170310607
Subject(s) - crystal (programming language) , atmospheric temperature range , chemistry , analytical chemistry (journal) , monocrystalline silicon , materials science , crystallography , physics , silicon , chromatography , computer science , programming language , organic chemistry , meteorology
The influence of the As source temperature on the properties of undoped 〈100〉 orientated GaAs crystals during VGF crystal growth was investigated in the range of T As = 600 to 631 °C. The crystal morphology has shown significant differences. A monocrystalline growth is observed in the range of T As = 607 to 620 °C. The EPD values are in the range of 10 3 cm −2 irrespective of the preset temperature of the As source. A decrease in the As source temperature from 620 °C to 607 °C will result in a reduced concentration of the intrinsic defect EL2 from 0.8. 10 16 cm −3 to 0.6. 10 16 cm −3 . Der Einfluß der As Quellentemperatur auf die Eigenschaften von undotierten, <100>‐orientierten GaAs Kristallen bei der VGF Züchtung wurde im Bereich von T As = 600–631 °C untersucht. Die Kristallmorphologie wies dabei deutliche Unterschiede auf. Bei T As von 607–620 °C wird einkristallines Wachstum beobachtet. Die EPD Werte liegen dabei im Bereich von 10 3 cm −2 unabhängig von der eingestellten Temperatur der As‐Quelle. Mit Verringerung der As Quellentemperatur von 620 °C auf 607 °C tritt eine Reduzierung der Konzentration des Eigendefektes EL2 von 0,8. 10 16 cm −3 auf 0,6. 10 16 cm −3 ein.