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The local distribution of luminescence generation in LED's
Author(s) -
Oelgart G.,
Stegmann R.,
Kaatsch D.
Publication year - 1985
Publication title -
crystal research and technology
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0232-1300
DOI - 10.1002/crat.2170201108
Subject(s) - luminescence , physics , chemistry , optoelectronics
Mit Hilfe der Temperaturabhängigkeit der Katodo‐ und Injektionslumineszenzintensität wird die lokale Verteilung der Lichtgeneration in lichtemittierenden GaAs 1− x P x ‐Dioden als Funktion des Flußstromes und der Herstellungstechnologie untersucht. Für geringes Injektionsniveau rekombinieren die Überschußladungsträger in einer hochkompensierten Schicht während mit steigendem Flußstrom das Licht im Volumen des n‐ und p‐Gebietes generiert wird. Das Injektionsverhältnis wird durch die Herstellungstechnologie des p‐n Überganges bestimmt.