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Zur Beeinflussung mikrostruktureller Verformungsprozesse an Siliziumoberflächen durch den Dotierungstyp
Author(s) -
Richter H.,
Brocke H.D.
Publication year - 1978
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19780131108
Subject(s) - chemistry
Abstract Durch Erfassen des nach einer Wärmebehandlung ätztechnisch nachweisbaren gestörten Bereiches um Ritze wird die Wirkung von Donator‐ und Akzeptor‐Dotierung auf die Reichweite der sich ausbildenden Störzone in Silizium untersucht. Die bereits bei niedrigen Dotierungskonzentrationen auftretenden Unterschiede werden in Zusammenhang mit der niedrigen Sauerstoffkonzentration von FZ‐Kristallen und der Wechselwirkung zwischen Beweglichkeit und elektrischer Ladung der Versetzungen gedeutet.