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Herstellung homogener Cd x Hg 1− x Te‐Barren als Ausgangsmaterial für infrarotempfindliche Fotowiderstände
Author(s) -
Schubert F.,
Dittmar G.,
Forbrig B.
Publication year - 1978
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19780131011
Subject(s) - physics , chemistry
Als Ausgangsmaterial für hochempfindliche Infrarot‐Fotowiderstände wird heute oft Kadmium‐Quecksilbertellurid (Cd x Hg 1− x Te) verwendet. Um daraus Cd x Hg 1− x Te‐Infrarotdetektoren mit annähernd gleichen elektrischen Eigenschaften herstellen zu können, ist eine gute Homogenität des Materials erforderlich. Diese kann mit den konventionellen Kristallzüchtungsmethoden (z. B. Bridgmanverfahren) nicht erreicht werden. Dagegen liefert das Verfahren der schnellen Abkühlung der Schmelze gute Ergebnisse.