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Zum Problem der Zweikristall‐Topographie von kleinen Defekten mit Bragg‐Bragg‐Reflexion
Author(s) -
Kies J.,
Köhler R.,
Möhling W.
Publication year - 1978
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19780130916
Subject(s) - physics , chemistry , materials science
Das Kontrastverhalten kleiner Defekte, wie sie bei Oxidation an Silizium‐Oberflächen entstehen, wurde mittels Zweikristalltopographie in Rückstrahlanordnung untersucht. Offensichtlich durch Oberflächenrelaxation des Spannungsfeldes bedingt, ändert sich der Kontrast wesentlich stärker mit der Eindringtiefe als mit der Orientierung der reflektierenden Netzebenen zu möglichen Burgersvektoren. Da die Eindringtiefe für unterschiedliche Reflexe stark variiert, scheint ohne Computer‐Simulation keine überzeugende Ermittlung der Natur der Defekte möglich zu sein.