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Die Temperaturabhängigkeit des Dotanteneinbaus bei der Abscheidung von Siliziumepitaxieschichten aus der Gasphase (II). Der Phosphoreinbau und die Größe der differentiellen molaren Lösungsenthalpie
Author(s) -
Kühne H.
Publication year - 1978
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19780130907
Subject(s) - physics , chemistry , medicinal chemistry
Die differentielle molare Lösungsenthalpie für elementaren Phosphor in Epitaxiesilizium wird unter Berücksichtigung der Leitungselektronenkonzentration, die unter den Schichtabscheidungsbedingungen im Silizium vorhanden ist, aus dem Einbaugleichgewicht in an und für sich bekannter Weise ermittelt. Der Wert der für reale Lösungsverhältnisse aus den experimentellen Daten anderer Autoren erhaltenen Lösungsenthalpie beträgt +9,3 kcal/mol. Der für ideale Lösungsverhältnisse erhaltene Wert beträgt +7,1 kcal/mol und stimmt damit gut mit dem theoretischen Wert anderer Autoren von 6,9 kcal/mol überein.