Die Temperaturabhängigkeit des Dotanteneinbaus bei der Abscheidung von Siliziumepitaxieschichten aus der Gasphase (I) Der Phosphoreinbau und die Natur des Segregationskoeffizienten

Ausgehend von der Anwendung des Henry‐Gesetzes N   PSi += ( P   P   i) 1/ i · 1/ H i auf die Partialdrucke der einzelnen, im Dampfgleichgewicht des elementaren Phosphors vorhandenen Molekülarten wird der Segregationskoeffizient von Phosphor zwischen Gasphase und wachsender Siliziumepitaxieschicht ( k Segr. ; P   Si + ) mit der reziproken effektiven Henry‐Konstante (1/ H i * ) identifiziert. Damit wird der Einbau von ionisierten Phosphoratomen in die Silziumschicht als elementarer Prozeß angesehen. Der Segregationskoeffizient ist nicht nur von der Temperatur, sondern auch von der Phosphordampfzusammensetzung und damit von der Dotanteneinbaukonzentration abhängig.