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Ein Beitrag zur modellmäßigen Beschreibung des Dotanteneinbaus bei der einkristallinen Siliziumabscheidung aus der Gasphase
Author(s) -
Kühne H.
Publication year - 1978
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19780130719
Subject(s) - philosophy , gynecology , chemistry , humanities , physics , medicine
Der Dotanteneinbau in die wachsende Siliziumepitaxieschicht wird unter gleichrangiger Beachtung der die Dotanteneinbaurate bestimmenden Transportvorgänge und der die Einbaukonzentration bestimmenden Gleichgewichtsbeziehungen betrachtet, wobei für extreme Schichtwachstumsbedingungen die Begrenzung des Dotantenzustroms auf die Einbaukonzentration Einfluß nimmt. Durch Diskussion der Ergebnisse von B LOEM , G ILING , G RAEF für das Silan–Phosphin‐System wird gezeigt, daß diese mit den Vorstellungen von R AI ‐C HOUDHURY , S ALKOVITZ in Übereinstimmung gebracht werden können, wonach die Einbaukonzentration im Gleichgewicht zum effektiven Dampfmolekül des Dotantenelementes steht.