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Optimierung von Kristallisationsparametern beim Zonenschmelzen aus Temperatur‐Feld‐Berechnungen
Author(s) -
Schikora D.,
Schäfer P.,
Erben N.
Publication year - 1978
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19780130707
Subject(s) - chemistry , physics
Die Temperaturverteilung in Kristall während des Wachstumsvorganges bestimmt weitestgehend die Kristallperfektion und hängt in erster Linie von „äußeren” Bedingungen ab: Von der Art und der Geometrie der Heizanordnung sowie der Umgebung des Kristalls („Atmosphäre”, Tiegel, Zieh‐ bzw. Halterstangen etc.). – Es wird ein mathematisches Modell vorgestellt, mit dem es möglich ist, die Temperaturverteilung im Kristall aus diesen „äußeren” Bedingungen zu berechnen. Anhand einer Züchtungsanordnung für vertikales Zonenlevelling wird die Leistungsfähigkeit des theoretischen Modells diskutiert und bewertet. Für die Züchtung von Einkristallen des Mischkristallsystems Bi 1− x Sb x durch vertikales Zonenlevelling werden unter Anwendung des mathematischen Modells wichtige Kristallisationsparameter optimiert.