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Epitaktisches Schichtwachstum
Author(s) -
Aleksandrov L. N.
Publication year - 1978
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19780130704
Subject(s) - physics , chemistry
Es werden die grundlegenden Methoden sowie thermodynamische und kinetische Parameter des epitaktischen Wachstums betrachtet. Auf der Basis einer Analyse von theoretischen und experimentellen Ergebnissen wird der Zusammenhang zwischen Wachstumsmechanismen und struktureller Perfektion der Schichten sowie der Einfluß äußerer Bedingungen auf die Realisierung der Epitaxie diskutiert. Es wird auf den Einfluß der Chemisorption von Atomen des transportierenden Stoffes oder von Restgasmolekülen im Vakuum hingewiesen. Die daraus folgenden Konsequenzen für die Erhöhung der Schichthomogenität und der Beseitigung der Übergangsgebiete Schicht‐Substrat werden aufgezeigt.