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Einfluß hoher Versetzungsdichten auf die Kennliniencharakteristik von Dioden
Author(s) -
Richter H.,
Heymann G.
Publication year - 1978
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19780130611
Subject(s) - chemistry , die (integrated circuit) , gynecology , materials science , nanotechnology , medicine
Aus n‐leitenden Si‐Kristallen mit niedrigen Versetzungsdichten (EPD einige 10 3 cm −2 ) und durch plastische Deformation erzeugten hohen Versetzungsdichten (EPD einige 10 9 cm −2 ) wurden Dioden gefertigt. Über die Ermittlung dr Kennliniencharakteristik und die Lebensdauer der Minoritätsladungsträger wird die Wirkung der in hoher Dichte auftretenden Versetzungen untersucht. Bei der Probenpräparation wurden Orientierungsbeziehungen ausgewählt, durch die in 1. Näherung ein Durchstoßen des p, n‐Überganges durch die Versetzungen vermieden wird.