Beitrag zur Züchtung von ZnSiP 2 unter nichtstöchiometrischen Bedingungen aus der Gasphase in Auswertung mikroanalytischer Untersuchungen

Das aus der Gasphase abgeschiedene röntgenographisch einphasige und stöchiometrisch zusammengesetzte ZnSiP 2 besitzt einen spezifischen Widerstand > 10 3 Ωcm und örtlich begrenzte Lumineszenzspektren. Die Existenz von Fremdphasen, vorhandene Inhomogenitäten sowie Stöchiometrieabweichungen im ZnSiP 2 waren mögliche Ursachen für diese physikalischen Eigenschaften. Es wurde versucht, fremdphasenhaltiges ZnSiP 2 aus der Gasphase abzuscheiden. Die ZnSiP 2 ‐Synthese und ‐Kristallisation erfolgte deshalb mit nichtstöchiometrischen Siliziumeinwaagen. Der Phasenaufbau der Kristalle wurde lichtmikroskopisch und mit Hilfe der Elektronenstrahlmikroanalyse untersucht. Bei unterstöchiometrischer Siliziumeinwaage (– 50 mol% Si) enthält die ZnSiP 2 ‐Matrix die binären Phasen ZnP 2 und Zn 3 P 2 . Unter überstöchiometrischen Bedingungen (> 100 mol% Si) scheiden sich ZnSi 13 P 2 ‐Schichten auf dem ZnSiP 2 ab. Eindeutige Unterschiede in den physikalischen Eigenschaften konnten zwischen stöchiometrischem einphasigem und fremdphasenhaltigem ZnSiP 2 nicht nachgewiesen werden.