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Untersuchungen zur heteroepitaktischen Abscheidung von GaP auf GaAs aus der Sn‐Lösung
Author(s) -
Gottschalch V.,
Kramer P.,
Butter E.
Publication year - 1978
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19780130513
Subject(s) - physics , materials science
Es werden die verwendeten Züchtungsapparaturen beschrieben und die experimentellen Daten zur Abscheidung von GaP und Ga(AsP) auf GaAs mitgeteilt. Daran schließt sich eine Diskussion des Einflusses der Züchtungsparameter (Temperatur, Abkühlungsgeschwindigkeit, Schmelzenzusammensetzung) auf die Ausbildung des Heteroüberganges und den damit im Zusammenhang stehenden Lösungsmitteleinschlüssen an. Die Auswirkung der Substratfehlorientierung auf die Oberflächenmorphologie wird untersucht.