Strukturdefekte in GaP/GaAs‐Heteroepitaxieschichten

Mit Hilfe von Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) und chemischer Ätztechnik wurden auf ( 1 1 1 )‐GaAs‐Substraten gewachsene GaP‐Schichten untersucht. Die epitaktische Abscheidung erfolgte durch chemische Transportreaktion mit Wasserdampf als Transportmittel. Die GaP‐Schichten besitzen eine große Zahl von Versetzungen, Stapelfehlern, Korngrenzen und Mikrozwillingslamellen. Die Dichte dieser Defekte verringert sich mit steigender Schichtdicke. Die Entstehung der Baufehler, besonders die der Mikrozwillingslamellen, wird mit mechanischen Verspannungen in der Epitaxieschicht in Zusammenhang gebracht. Diese resultieren aus der unterschiedlichen Temperaturabhängigkeit der Gitterkonstanten von Schicht und Substrat und aus der Fehlpassung.