Zur Heteroepitaxie von A I B III C 2 VI ‐Verbindungen – Interpretation von RHEED‐Diagrammen

Bei der epitaktischen Abscheidung von Halbleitern des Typs A I B III C 2 VI auf einkristallinen Unterlagen mit einer dreizähligen Flächensymmetrie wächst der in der Chalkopyritstruktur kristallisierende Deposit mit der {112}‐Fläche auf dem Substrat auf. Es wird gezeigt, daß eine eindeutige Unterscheidung über die vorliegende Art der epitaktischen Verwachsung mittels RHEED‐Untersuchungen stets möglich ist, wenn die atomaren Streufaktoren der I‐ und III‐Atome hinreichend unterschiedlich sind und/oder das Achsen‐verhältnis c/a wesentlich vom Wert 2 abweicht. – CuInSe 2 /GaAs und CuGaSe 2 /GaAs weisen eindimensionale Epitaxie auf.