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TSM‐gewachsene Halbleiter‐Einkristalle aus (Pb 0,8 Sn 0,2 )Te
Author(s) -
Bansaragtschin B.,
Link R.,
Lehmann G.
Publication year - 1978
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19780130306
Subject(s) - chemistry , materials science , crystallography
Unter Anwendung der TSM konnten in einem einfach zu handhabenden Züchtungsverfahren PbSnTe‐Mischkristalle hergestellt werden, die hinsichtlich ihrer Perfektion und Zusammensetzung sowie ihrer elektrischen Eigenschaften untersucht wurden. Die Ergebnisse führen zu dem Schluß, daß bei Vorteil einer kurzen Züchtungsdauer Kristalle in guter Homogenität mit niedrigen LTK und hohen Beweglichkeiten darstellbar sind. Typische erzielte Werte sind p 77 ≦ 10 17 cm −3 , n 77 ≦ 10 17 cm −3 ; p μ 77 ⋍ 1,6 · 10 4 cm 2 /Vs; Abmessungen: 1 × 4 × 4 mm 3 .