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Chemische Bindung und Struktur von Halbleitern und Isolatoren
Author(s) -
Hübner K.
Publication year - 1977
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19770120902
Subject(s) - chemistry , physics
Moderne semiempirische Substanz‐ und Strukturtheorien sind sehr nützlich für die Untersuchung chemischer Trends von Materialeigenschaften von Halbleitern und Isolatoren. Auf der Grundlage des Konzeptes der Ionizität gemischt ionogen‐kovalenter chemischer Bindungen werden chemische Trends von ausgewählten energetischen, elektrischen und elastischen Eigenschaften beschrieben. Der Ionizitätsparameter, der aus der statischen elektronischen Dielektrizitätskonstante oder aus Valenzbandspektren ermittelt werden kann, wird in Modelle für verschiedene Effekte (z.B. die chemische Verschiebung elektronischer Bindungsenergien) eingebaut. Auf diese Weise wird chemische Information explizit berücksichtigt und gute Übereinstimmung mit experimentellen Ergebnissen erreicht. Mit der Ionizität und verknüpften Parametern wird die Abgrenzung vier‐ und sechsfach koordinierter Kristallstrukturen, die relative Stabilität der Wurtzit‐ gegenüber der Zinkblende‐Struktur und das Problem unterschiedlicher Bindungswinkel in verschiedenen SiO 2 ‐Modifikationen untersucht. Eine Erweiterung dieses Konzeptes im Rahmen der Pseudopotentialtheorie führt zu einigen interessanten Schlüssen bezüglich struktureller Unordnungseffekte in amorphen Halbleitern.