Zum Nachweis von Sauerstoff in Mikrobereichen von versetzungsfreien Czochralski‐Silizium‐Einkristallen

Nach einer mehrstündigen Wärmebehandlung von versetzungsfreien sauerstoffreichen Czochralski‐Si‐Einkristallen bei 1000°C lassen sich mittels Sirtl‐Ätzmittel züchtungsbedingte Inhomogenitäten anätzen. Es wird gezeigt, daß die Ausbildung dieser Kristallbaufehler durch Wärmebehandlung in engem Zusammenhang mit dem Sauerstoffgehalt für Konzentrationen ≧ 3,5 · 10 17 cm −3 steht. — Untersuchungen an verschiedenen Si‐Einkristall‐Chargen und an verschiedenen Orten der Si‐Proben ergaben, daß kein allgemeiner quantitativer Zusammenhang zwischen Ätzgrubendichte und Sauerstoffkonzentration besteht. Die Ausbildung von Ausscheidungen aus übersättigten Lösungen von Sauerstoff im Silizium wird nicht allein von dessen Konzentration, sondern auch von Art und Konzentration der Nukleationszentren bestimmt. Die verwendete Temper‐/Ätztechnik ist als einfaches Verfahren bei der Kristallcharakterisierung und zur Ergänzung von quantitativen Verfahren zur Sauerstoffbestimmung in Si‐Einkristallen einsetzbar.