Über die röntgenographische Analyse der mittleren quadratischen Atomverschiebungen in einigen Halbleiterkristallen

Im Temperaturgebiet 100 K — 1000 K wurden an Einkristallen des Ge und halbleitender Verbindungen des Typs A III B V , A II B VI und A IV B VI röntgenographische Messungen des Debye‐Waller‐Faktors durchgeführt. Aus den Ergebnissen wurden die mittleren quadratischen Atomverschiebungen 〈 u 2 〉 und die Debye‐Temperatur Θ M berechnet. Beide Parameter werden im Hinblick auf den Einfluß der Temperatur, den Einfluß von Punktdefekten und bei den Verbindungen auch von Stöchiometrieabweichungen auf die thermischen Gitterschwingungen diskutiert. Abschließend werden einige Betrachtungen zum Zusammenhang zwischen den Größen 〈 u 2 〉 bzw. Θ M und den Aktivierungsenergien der Leerstellenbildung und der Diffusion in den untersuchten Materialien mitgeteilt.