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Anwendungsmöglichkeiten der Analyse der diffusen Streuung von Röntgenstrahlen zur Untersuchung von einkristallinen Halbleiter‐Mischkristallen
Author(s) -
Bublik V. T.
Publication year - 1977
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19770120810
Subject(s) - materials science , physics , chemistry
Um die Wechselwirkungsparameter der Atome in der festen Phase von Halbleiter‐Mischphasen der Systeme GeSi, GaAsGaP und GaAsAlAs zu bestimmen, wurde die diffuse Streuung von Röntgenstrahlen an Einkristallen mit Hilfe der Theorie von K RIVOGLAZ analysiert. Die Ergebnisse gestatten es, die Zustandsdiagramme der betrachteten Systeme zu berechnen.