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Über Möglichkeiten zur Deutung der Verteilung der Strukturdefekte 1. Ordnung bei 〈100〉‐orientierten Halbleitereinkristallen am Beispiel des GaAs
Author(s) -
Geil W.,
Schmugge K.,
Weichelt G.
Publication year - 1977
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19770120614
Subject(s) - physics , philosophy , humanities
In Anlehnung an eine bei Silizium erarbeitete Theorie wird unter Berücksichtigung der 〈100〉‐Orientierung und der radialen und axialen Temperaturverteilung die Berechnung einer resultierenden Verteilung der Strukturdefekte 1. Ordnung durchgeführt. Die Ergebnisse der theoretischen Betrachtung und der experimentelle Befund werden unter Beachtung der experimentellen Züchtungsbedingungen verglichen. Aus den Funktionen N = ƒ( r ) sind Möglichkeiten zur Deutung über ben Einfluß der Züchtungsparameter gegeben. Aus der Deutung wird versucht, Rückschlüsse auf den Einfluß von Parameterveränderungen zu machen.