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Untersuchungen zum Einfluß von Temperatur und Versetzungen auf die integralen Röntgenintensitäten von Si‐Einkristallen
Author(s) -
Krüger A.,
Stephanik H.
Publication year - 1977
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19770120307
Subject(s) - chemistry
Aus Messungen der absoluten integralen Röntgenintensitäten von Siliziumeinkristallen ist es möglich, die Debyetemperatur zu bestimmen. Für einen versetzungsfreien Siliziumkristall wurden für den Temperaturbereich zwischen 90 und 296 K Debyetemperaturen von 543 bis 533 K ermittelt. Der Einfluß von Versetzungen in Silizium auf die Debyetemperatur wurde bei verschiedenen Temperaturen untersucht.