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Beitrag zur Kristallisation von ZnSiP 2 aus der Gasphase
Author(s) -
Hein Klaus,
Winkler Konrad
Publication year - 1977
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19770120302
Subject(s) - chemistry
Zur Präzisierung früher veröffentlichter Züchtungsergebnisse wurde der Einfluß der thermischen Bedingungen auf die Synthese und Kristallinität von ZnSiP 2 weiter untersucht. Umfangreiche Temperaturmessungen beim experimentell ermittelten Optimum ermöglichten Aussagen über die axiale und radiale Temperaturverteilung in der Versuchsapparatur und im Reaktionsgefäß. Der axiale Temperaturgradient im Kristallisationsraum liegt bei 3 grd/cm, während in der Ampulle ein radialer Temperaturgradient von 4–5 grd/cm ermittelt wurde. — Die thermischen Abscheidungsbedingungen für ZnSiP 2 wurden bei unterschiedlichen Temperaturdifferenzen analysiert. Es wurde gefunden, daß als minimaler Δ T ‐Wert 15 grd nicht unterschritten werden darf, um in endlicher Zeit mittels Gasphasentransport ZnSiP 2 abzuscheiden. — Im Ergebnis einer ausführlichen Diskussion des Einflusses der thermischen Bedingungen auf die Synthese und Kristallisation von ZnSiP 2 wurden die charakteristischen Transporteffekte erklärt. Kondensation von ZnP 2 am Ampullenende und durch lokale Temperatur‐ und Konzentrationsgradienten im Kristallisationsraum hervorgerufener Sekundärtransport konnten als Ursachen für unterschiedliche Konzentrationsprofile, Phasenaufbau und Kristallinität in Abhängigkeit vom Ort der Kristallisation herausgearbeitet werden. Abschließende Hinweise zu günstigen Züchtungsvarianten vervollständigen die Ausführungen.