Über Versetzungsbildungsmechanismen bei der Züchtung von Si‐Einkristallen und ihre Deutung

Die Züchtung von 〈111〉 orientierten Si‐Einkristallen hoher struktureller Perfektion wird mit steigendem Kristalldurchmesser schwieriger. Deshalb ist für die Entwicklung geeigneter Züchtungsverfahren zur Herstellung versetzungsfreier Kristalle die Kenntnis über die Bildung von Versetzungen in der versetzungsfreien Matrix von Bedeutung. Unter der Voraussetzung, daß das Überschreiten des Wertes der kritischen Schubspannung die Ursache der Versetzungsbildung ist und, daß die Spannung im Kristall sowohl durch die Existenz radialer und axialer Temperatur‐ und Fremdstoffgradienten bedingt sind, werden die Unterschiede für die Mindestpannungen bei bestimmten bevorzugten Züchtungsrichtungen aus einem Modell der dichtesten Kugelpackung bestimmt. Als bevorzugte Züchtungsrichtungen werden dabei die 〈111〉‐ und 〈100〉‐Orientierung angesehen. Im Ergebnis der Arbeit resultieren Hinweise über die Verfahrensweise beim Züchten von Si‐Einkristallen mit bestimmten Eigenschaften.