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Das quaternäre Schmelzdiagramm GaAs‐P Sn
Author(s) -
Rentsch H.,
Kühn G.,
Leonhardt A.,
Gottschalch V.,
Butter E.
Publication year - 1976
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19760110204
Subject(s) - chemistry , physics , crystallography
Der pseudoternäre Schnitt SnGaAsGaP des quaternären Systems GaAsPSn wurde experimentell untersucht und auf der Basis der Vieland'schen Methode und des Darken'schen Quadratformalismus in einem Temperaturintervall von 8601200°C berechnet. Ein Vergleich mit dem System GaGaAsGaP ergibt eine bedeutend höhere Löslichkeit des Mischkristalls GaP x As 1− x in Zinn und eine stärkere Variation der Zusammensetzung in Wachstumsrichtung.