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IR‐spannungsoptische Ermittlung züchtungsbedingter Eigenspannungen in Silizium
Author(s) -
Hähle S.,
Pötzchke D.,
Beyrich H.,
Markus H.
Publication year - 1976
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19760110112
Subject(s) - materials science , chemistry
Ursache der Eigenspannungen in Si‐Einkristallen sind die Wachstumsbedingungen und die daraus resultierende Realstruktur. Das Eigenspannungsfeld ist annähernd axialsymmetrisch; im Zentrum treten Zug‐ und am Mantel Druckspannungen auf. Durch plastische Deformation während der Züchtung oder bei thermischer Nachbehandlung paßt sich das Eigenspannungsfeld der Kristallsymmetrie an. Die tangentialen Druckspannungen betragen am Mantel für Czochralski‐Kristalle ( D = 36 mm, EPD ≈ 5 K· 10 3 cm −2 ) 25 kp/cm 2 und für Zonenfloating‐Kristalle ( D = 28 mm, EPD ≈ 3 · 10 4 cm −2 ) etwa 70 kp/cm 2 . Versetzungsfreie Si‐Einkristalle sind nahezu frei von Eigenspannungen.