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Zur Versetzungsbildung an Ritzen auf einkristallinen Silizium‐Oberflächen
Author(s) -
Kirscht F.G.,
Richter H.,
Baehr R.,
Hansch C.,
Brocke H.D.
Publication year - 1975
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19750101205
Subject(s) - chemistry , philosophy
Definiert geritzte (111)‐Scheiben wurden bei 850 °C und 1000 °C getempert und mittels Strukturätzen, Röntgentopographie und Elektronenmikroskopie untersucht. Es wird der Zusammenhang zwischen Versetzungsanordnung und dem erzeugenden Verspannungszustand diskutiert. Die elektronenmikroskopischen Beobachtungen lassen sich interpretieren, wenn man eine Reaktion unter Bildung von Lomer‐Versetzungen annimmt.