Untersuchung von A III B‐Halbleitereinkristallen mittels Rutherford‐Rückstreuung energiereicher Protonen

Es wird über Untersuchungen des Schatteneffektes an binären (GaAs, GaP, InSb, GaN) und ternären ((Ga,Al)P; (Ga, Al)As; (Ga, Al)Sb; (Ga, In)As) Halbleitereinkristallen und Epitaxieschichten mit 0,5 MeV‐ und 1 MeV‐Protonen berichtet. Die Winkelverteilung der rückgestreuten Protonen wurde mit Halbleiterdetektoren und Filmmaterialien gemessen. Die erhaltenen Werte der charakteristischen Schattenparameter für die Streuung an der Kristalloberfläche stimmen gut mit denen nach Barrett berechneten überein. Einige Anwendungsmöglichkeiten des Schatten‐ u. Kanalisierungseffektes bei Protonenrückstreuung für A III B V ‐Halbleitereinkristalle werden kurz beschrieben und Beispiele dafür angeführt.